CMOS (Complimentary Metal Oxide Semiconductor) senzor využívá v principu stejnou technologii výroby jako ostatní integrované obvody - procesory, paměti atd. Z tohoto důvodu je levnější, umožňuje vyšší stupeň integrace a není problém přímo v senzoru integrovat celou řadu dalších obvodů. Na rozdíl od CCD má v CMOS senzoru každá jednotlivá buňka svůj vlastní zesilovač a může být díky tomu přímo adresována a čtena pomocí jejích X,Y souřadnic. Zásadní rozdíl tedy není ve vlastní konstrukci citlivé části buňky (fotodiodě), ale v tom, jak je buňka čtena. U CCD jsou buňky čteny postupně díky přenosu náboje skrze buňky, u CMOS je každá buňka podobně jako u běžných pamětí či LCD obrazovek samostatně adresována pomocí jejich souřadnic.
CMOS senzor má řídící obvody přímo uvnitř senzoru, nepotřebuje více napájení, umožňuje vyšší integraci a dokáže přímo adresovat každou buňku.
Protože u CMOS technologie má každá buňka svůj vlastní zesilovač, CMOS senzorům se často říká "Active Pixel Sensor (APS)" - senzor s aktivními pixely. Zesilovač u každé buňky ale zabírá část její plochy a proto vlastní světlocitlivá fotodioda musí být plošně menší. Zesilovač tedy snižuje fill factor. Menší světlocitlivá plocha buňky potom vyžaduje vyšší zesílení, což zvyšuje obrazový šum.
Zdroj textu: Fotografovani.cz.